Toimintaperiaatteet transistorin

Transistori - laite, joka toimii puolijohteiden elektroniikkateollisuudessa. Se on suunniteltu ja vahvistuksen sähköisten signaalien. On olemassa kahden tyyppisiä laitteita: bipolaarisen transistorin ja yksinapainen transistori tai kentän.

Jos transistori on kahdenlaisia varauksenkuljettajien toimivat samanaikaisesti - aukkojen ja elektronien, sitä kutsutaan kaksisuuntainen. Jos transistori on vain yhden tyyppinen maksu, se on unipolaarinen.

Kuvitella työtä tavallista vesijohtovettä. Kääntyi pultti - veden virtaus kasvaa, hän kääntyi toisinpäin - vähentää tai lopettaa virtausta. Käytännössä tämä on toimintaperiaate transistorin. Vain elektronit veden sijasta virtaavan sen läpi. Toimintaperiaate bipolaarisen transistorin tyyppi on tunnettu siitä, että tämän elektroninen laite on kahdenlaisia tehon on. Ne on jaettu korkea, tai perus- ja pieniä, tai johtaja. Jolloin ohjausvirta vaikuttaa kapasiteetin virta. Harkita kanavatransistorin. Periaate sen toiminta on erilainen kuin muut. Se kulkee vain yksi lähtövirta , joka riippuu ympäristön sähkömagneettisen kentän.

Bipolaaritransistorin on valmistettu 3 kerrosta puolijohde, sekä, mikä tärkeintä, kaksi PN-liittymissä. On välttämätöntä erottaa toisistaan PNP- ja NPN-siirtymiä ja siten, ja transistorit. Nämä puolijohteet ovat vuorotellen elektronin ja aukon johtuminen.

Bipolaaritransistorin on kolme terminaalia. Tämä pohja kosketus, jättäen keskikerroksen, ja kaksi elektrodia reunoilla - emitterin ja kollektorin. Verrattuna näiden kahden äärimmäisen elektrodia pohjakerros on hyvin ohut. Reunoja pitkin transistorin alueen puolijohde ei ole symmetrinen. puolijohdekerroksen, joka on sijoitettu lämmönkeruupuoli oikean toiminnan tämän laitteen tulee päästää hieman, mutta on paksumpi verrattuna puolella emitterin.

transistorin toiminnan periaatteet perustuvat fysikaalisia prosesseja. Tehdään mallin PNP. NPN malli toimii samanlainen paitsi polariteetti välisen jännitteen kuten peruselementit kuin kollektori ja emitteri. Se on vastakkaiseen suuntaan.

P-aineen tyyppi käsittää reiän tai positiivisesti varautuneita ioneja. N-tyypin aine koostuu negatiivisesti varautuneet elektronit. Meidän transistori reikien lukumäärä F alueella on paljon suurempi kuin elektronien lukumäärä N.

Kun yhteyden jännitelähteen osien välillä kuten emitterin ja kollektorin transistorin toiminnan periaatteet perustuvat siihen, että reiät ovat kiinnostuneita napa ja kerätä lähettimen lähellä. Mutta nykyinen ei mene. Sähkökenttä jännitelähteestä ei saavuta keräilijä, koska paksu puolijohde emitterikerroksen ja pohja puolijohdekerroksen.
Kytke jännitelähteen eri elementtien yhdistelmää, eli kannan ja emitterin. Nyt reikiä lähetetään tietokantaan ja alkaa vuorovaikutuksessa elektroneja. Keskeinen osa pohja on kyllästetty reikiä. Tuloksena on kaksi virtaa. Iso - emitteristä kollektoriin, pieni - alustasta emitteriin.

Kasvaessa jännitteen tietokantaan kerros N on vieläkin enemmän reikiä, lisätä kantavirran, emitterivirta kasvaa hieman. Tämä tarkoittaa sitä, että pieni muutos kantavirran riittävän vakavasti monistettiin emitterivirta. Tuloksena on kasvu signaalin bipolaaritransistori.

Harkita periaatteiden transistorin riippuen toimintatila. Erottaa normaali aktiiviseen tilaan, käänteinen aktiivinen tila, värikylläisyys, sulku-tilassa.
Aktiivisessa tilassa emitteri avataan ja suljetaan keräilijä risteyksessä. Vuonna inversio-tilassa, kaikki tapahtuu päinvastoin.